收藏本站
IRF9392PbF
100
T J = 150°C
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
10
T J = 25°C
10
1
DC
1msec
1.0
VGS = 0V
0.1
0.01
T A = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
10msec
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V SD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
10
8
6
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
2.4
2.2
2.0
1.8
4
1.6
ID = -25μA
1.4
2
1.2
0
1.0
25
50
75
100
125
150
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T A , Ambient Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
100
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
10
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.1
0.01
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + T A
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
4
www.irf.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF9410PBF MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
IRF9410TR MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
IRF9520NLPBF MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3
IRF9520NSTRR MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
IRF9530NSTRR MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
IRF9540NSTRR MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
IRF9540SPBF MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
IRF9610SPBF MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRF9393PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 19.4mOhms 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9393TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -9.2A 19.4mOhm 25Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9395MPBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Isolation Switch for Input Power or Battery Application
IRF9395MTR1PBF 功能描述:MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9395MTRPBF 功能描述:MOSFET DUAL P-CH -30V 7mOhms 64nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF94-0089 制造商:International Rectifier 功能描述:94-0089/IRF
IRF9410 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9410PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube